CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse

CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse

FrenchPaperback / softback
Gupta, Rohin
Editions Notre Savoir
EAN: 9786208332006
On order
Delivery on Tuesday, 15. of April 2025
€57.92
Common price €64.36
Discount 10%
pc
Do you want this product today?
Oxford Bookshop Banská Bystrica
not available
Oxford Bookshop Bratislava
not available
Oxford Bookshop Košice
not available

Detailed information

Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est très faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de précharge est nécessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est également économe en énergie. Les résultats montrent également que les données stockées dans cette cellule sont très stables. Il est toujours possible d'améliorer tout type de circuit ou d'application. La configuration proposée peut être améliorée à l'aide de diverses techniques. Nous pouvons modifier le rapport d'aspect de la cellule pour obtenir de meilleurs résultats. Nous pouvons appliquer le gating d'horloge pour un circuit économe en énergie. Nous pouvons améliorer le circuit périphérique pour de meilleures performances.
EAN 9786208332006
ISBN 6208332001
Binding Paperback / softback
Publisher Editions Notre Savoir
Publication date November 29, 2024
Pages 88
Language French
Dimensions 229 x 152 x 5
Authors Gill, S.S.; Gupta, Rohin; Kaur, Navneet
Manufacturer information
The manufacturer's contact information is currently not available online, we are working intensively on the axle. If you need information, write us on helpdesk@megabooks.sk, we will be happy to provide it.